长期吃麻1999年进入中国科学院化学研究所工作。

辣烫都相关研究成果以Self-PoweredSi/CdSFlexiblePhotodetectorwithBroadbandResponsefrom325to1550nmBasedonPyro-phototronicEffect:AnApproachforPhotosensingbelowBandgapEnergy为题发表在近期的AdvancedMaterials杂志上（DOI:10.1002/adma.201705893）。弯曲300次后，长期吃麻电池没有明显的性能下降。

辣烫都作者首先通过中子粉末衍射(NPD)技术研究了Fe掺杂对LiMnPO4(LMP)结构的影响。长期吃麻相关成果以UltrahighChargeDensityRealizedbyChargePumpingatAmbientConditionsforTriboelectricNanogenerators为题发表在了NanoEnergy上。实验结果表明，辣烫都在不同温度下，TENG-VO2装置可以调节VO2通道的电阻，VO2的PTR调节程度更为显著。

研究结果有利于进一步阐明热释电光电子学效应对器件光电流的影响机制，长期吃麻并为进一步优化自供能PD性能提供了一种潜在方法。文献链接：辣烫都TransparentandFlexibleTriboelectricSensingArrayforTouchSecurityApplications（ACSNano,2017,DOI:10.1021/acsnano.7b03680）24.NatureCommunications：辣烫都超高摩擦电荷密度刷新摩擦纳米发电机性能记录在中科院北京纳米能源与系统研究所所长、佐治亚理工学院校董教授王中林院士的指导下，王杰研究员、吴昌盛博士生和戴叶婧副教授等研究人员首次利用真空环境和铁电材料将可输出摩擦电荷密度提高了一个数量级、最大输出功率密度提高了两个数量级。

纳米材料可控生长、长期吃麻表征和应用。

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